Разработаны трёхмерные ячейки памяти ReRAM большой ёмкости

Новая методика создания ячеек трёхмерной энергонезависимой ReRAM-памяти (резистивная память с произвольной выборкой), представленная компанией Samsung Electronics (Южная Корея), позволяет использовать токи слабее 1 мкА для перезаписи информации, а также обеспечивает получение рабочего материала с высокой нелинейностью вольт-амперных характеристик.

Всё это позволяет избежать паразитных токов, способных изменять состояние соседних ячеек. Кроме того, по словам разработчика, новые 3D ReRAM-ячейки способны выдерживать до 107 циклов перезаписи.

Компания Samsung ввязалась в разработку трёхмерной реализации памяти ReRAM (или VRRAM — вертикальной ReRAM) для того, чтобы наконец-то найти замену безнадёжной NAND-памяти. В общем и целом технология VRRAM позволяет получать уложенные друг на друга слои ячеек ReRAM-памяти в одном непрерывном процессе, что, помимо увеличения ёмкости самой памяти, позволяет снизить стоимость её производства. Однако одним из основных условий безошибочного функционирования VRRAM-памяти является возможность использования максимально низких токов перезаписи информации. Наличие у материала нелинейных вольт-амперных характеристик позволяет достичь дополнительного увеличения плотности памяти посредством связывания нескольких соседних ячеек.

В данном случае, для того чтобы получить нужный результат, учёные из Samsung определили допустимый диапазон плотности кислородных вакансий, точное выдерживание которого принесло желаемые вольт-амперные характеристики рабочего материала. Кроме того, между электродом и плёнкой оксида переходного металла (материала ячейки памяти) был добавлен дополнительный туннельно-оксидный слой (слой оксида, обеспечивающий туннелирование электронов).

В результате удалось добиться предельно малого тока перезаписи информации (1 мкА), а также желаемой нелинейности вольт-амперных характеристик материала.

Подготовлено по материалам Tech-On!.

Подробнее: http://citforum.ru/news/29536/

Читать комменты и комментировать

Добавить комментарий / отзыв



Защитный код
Обновить

Разработаны трёхмерные ячейки памяти ReRAM большой ёмкости | | 2012-12-14 15:28:00 | | Технологии и новости мира IT | | Новая методика создания ячеек трёхмерной энергонезависимой ReRAM-памяти (резистивная память с произвольной выборкой), представленная компанией Samsung Electronics (Южная Корея), позволяет использовать токи слабее 1 мкА для перезаписи информации, а также обеспе | РэдЛайн, создание сайта, заказать сайт, разработка сайтов, реклама в Интернете, продвижение, маркетинговые исследования, дизайн студия, веб дизайн, раскрутка сайта, создать сайт компании, сделать сайт, создание сайтов, изготовление сайта, обслуживание сайтов, изготовление сайтов, заказать интернет сайт, создать сайт, изготовить сайт, разработка сайта, web студия, создание веб сайта, поддержка сайта, сайт на заказ, сопровождение сайта, дизайн сайта, сайт под ключ, заказ сайта, реклама сайта, хостинг, регистрация доменов, хабаровск, краснодар, москва, комсомольск |
 
Поделиться с друзьями: